Elektronolitografia – litografia wiązką elektronową pozwala na bezpośrednie pisanie wzorów na warstwie rezystu co owocuje możliwymi do uzyskania wymiarami elementów na poziomie pojedynczych nanometrów. Daje ona dużo większą swobodę przenoszenia wzorów na warstwę w porównaniu to innych rodzajów litografii. Takie rozwiązanie eliminuje konieczność wytworzenia i naświetlania wzorów przez maskę, stosowaną np. w procesie fotolitografii. Dzięki tej zalecie możliwe są szybkie zmiany i korekty w projekcie wzorów. Zalety te nadają litografii wiązką elektronową dużą elastyczność przydatną zwłaszcza w fazie badań i prototypowania struktur i elementów. Stosowane napięcia przyśpieszające to 50 i 100 kV. Minimalna wartość średnicy stosowanej do naświetlania wiązki elektronów nie przekracza 5 nm a minimalna szerokość uzyskanej linii jest poniżej 20 nm. Maksymalny obszar naświetlania bez konieczności stosowania zszywania (ang. stitching) to 1 mm².

Możliwość technologiczne:

• Napięcie przyśpieszające 100kV, zakres prądu wiązki naświetlającej 0,1 – 50nA. Wielkość pola naświetlania 100×100μm, 500×500μm i 1000×1000μm
• Błąd zszywania pól naświetlania (ang. stitching) ≤±30nm
• Możliwość pracy z okrągłymi podłożami o średnicach 2, 3, 4, 6, 8 cali i kwadratowymi o długości boku 5 i 7 cali. Możliwość procesowanie niestandardowych podłóż po wcześniejszym uzgodnieniu
• Możliwość pracy z rezystami pozytywowymi 950PMMA A firmy MicroChem i ZEP520A firmy Zeon oraz negatywowym XR-1541firmy Dow Corning (możliwe inne po wcześniejszym uzgodnieniu)
• Możliwość wytworzenia warstwy rezystu od kilkudziesięciu nanometrów wzwyż
• Minimalna szerokość linii możliwa do uzyskania w rezyście negatywowym od kilkunastu nm, w rezyście pozytywowym kilkadziesiąt nanomentrów
• Akceptowane wzory w plikach: LEDB, GDS OASIS, LTxt, CIF, DXF, PNG
• Możliwość przygotowania i optymalizacji procesu naświetlania – dostępne oprogramowanie umożliwia m.in. optymalny dobór i kolejność obszarów naświetlania pod kątem minimalizacji błędów odwzorowania i skróceniem czasu pracy, przygotowanie planu dawkowania wiązki z uwzględnieniem efektów sąsiedztwa oraz wizualizację efektów naświetlania

Fotolitografia – oferujemy pełen proces fotolitografii, zaczynając od przygotowania podłoża, naniesienia warstwy rezystu, naświetlenia oraz wywołania , aż po hartowanie (przygotowanie do trawienia mokrego lub suchego)

• Przystosowane do pracy z podłożami okrągłymi do 200mm (50mm/2”, 100mm/4”, 150mm/6”, 200mm/8”) oraz fragmentami nie mniejszymi niż 10mm x 10mm
• Możliwość centrowania wzorów względem obrazów na powierzchni górnej (TSA) z dokładnością 0,5 µm i dolnej (BSA) – z dokładnością 1,0 µm
• Odwzorowanie realizowane metodą zbliżeniową (proximity), kontaktową (soft contact, hard contact) oraz kontakt próżniowy (ang. vacuum)
• naświetlanie warstw światłoczułych (fotorezyst) o grubości do 200µm
• Kompatybilność z maskami o rozmiarach 2,5”x2,5”, 5”x5”, 7”x7”, 9”x9”
• Spektrum wiązki naświetlającej kształtowane za pomocą filtrów, możliwe fale o długości 240nm, 320nm, 365nm, 405nm, 434nm
• Naświetlanie w trybie ze stałą mocą (ang. constant time) i stałą dozą (ang. constant dose), również w interwałach
• Zakres ruchu stolika w zakresie X ≥ ±5mm, Y ≥ ±5mm, φ ≥ ±3°
• Równoległość stolika i maski w trakcie centrowania i naświetlania ≤ Δ6µm zapewniona automatycznie

Każdy proces jest wyceniany indywidualnie w zależności od potrzeb klienta. W celu otrzymania wyceny prosimy o kontakt: technologia_3@cezamat.eu.

W zapytaniu prosimy o podanie procesów lub rezultatów, które chcą Państwo uzyskać.