Dyfuzja wysokotemperaturowa – oferujemy wykonanie procesu dyfuzji do zastosowań w mikro- i nanoelektronice, fotonice czy fotowoltaice oraz mikromechanice.

• Dyfuzja boru w temperaturze do 1200 °C
• Możliwość procesowania w powtarzalny sposób dużych partii w jednym procesie: 25 podłóż o średnicy 200 mm oraz 50 podłóż o średnicy 100 mm i 150 mm

Implantacja jonów – oferujemy proces implantacji jonów dla potrzeb m. in. elektroniki, optoelektroniki, spintroniki. W zastosowaniach elektronicznych implantator jonów umożliwia wytwarzanie źródeł i drenów, formowanie napięcia progowego przyrządów CMOS, domieszkowanie obszarów emitera, bazy i kolektora przyrządów bipolarnych, a także wykonywanie implantacji Well i Halo. Do zastosowań elektroniki krzemowej używane są jony B, BF2, P, As, Si. Do półprzewodników alternatywnych używane są jony grup IIb, IIIa, IVa, Va, VIa. Podczas implantacji temperatura podłoża nie przekracza 100 °C. Dla potrzeb optoelektroniki i spintroniki istnieje możliwość implantowania jonami metali ziem rzadkich oraz jonami metalów przejściowych. Urządzenie to nadaje się także do inżynierii defektów przy podłożach podgrzewanych do 500 °C. Implantator umożliwia też zastosowanie technologii smart-cut w celu otrzymywania ultracienkich monokrystalicznych warstw krzemu. Dodatkowe wyposażenie w robota do automatycznego załadunku płytek pozwala na zastosowanie tego urządzenia w małoseryjnej produkcji.

• Możliwość implantacji jonów tlenu, azotu, wodoru, argonu, boru oraz innych (w bardzo szerokim zakresie mas, tj. 1-210 AMU)
• Możliwość implantacji na podłożach 150 mm lub 200 mm w cyklu automatycznym oraz 100 mm. Mniejsze podłoża po wcześniejszych uzgodnieniach
• Chłodzenie podłoża wspomagane helem – możliwość implantacji przez maskę z grubej emulsji fotolitograficznej
• Możliwość implantacji przy podwyższonej, kontrolowanej temperaturze podłoża od 100 °C do 500 °C
• Napięcie przyśpieszające z zakresu 5 kV do 200 kV, prąd wiązki do 1,5 mA (zależnie od rodzaju jonów)

Wygrzewanie – oferujemy proces wygrzewania dużych partii podłoży półprzewodnikowych w kontrolowany sposób.

• Wygrzewanie w atmosferze azotu, argonu i/lub w mieszaninie azotu i wodoru w temperaturze do 1200 °C,
• Możliwość procesowania w powtarzalny sposób dużych partii w jednym procesie: 25 podłóż o średnicy 200 mm oraz 50 podłóż o średnicy 100 mm i 150 mm.

Wafer bonding – oferujemy łączenie podłoży wytworzonych z różnych materiałów, w tym z materiałów półprzewodnikowych (krzemu i in.) i dielektryków (szkło, ceramika i in.), do zastosowania w mikroelektronice, nanoelektronice, fotonice oraz mikrosystemach.

• Przystosowane do pracy z podłożami okrągłymi od 100mm do 200mm (100mm/4”, 150mm/6”, 200mm/8”) oraz fragmentami nie mniejszymi niż 10mm x 10mm
• Możliwość łączenia (bonding) próbek następującymi technikami:
  • Łączenia adhezyjnego (klej)
  • Łączenia eutektycznego (termokompresja)
  • Łączenia anodowego
  • Łączenia przy użyciu szkliwa (glass frit)
  • Łączenia bezpośredniego (direct bonding)
• Komora płukana gazem obojętnym
• Zakres kontroli temperatury od 50°C do 500°C z dokładnością ±3°C, stabilnością ±1,0°C i jednorodnością na poziomie ±2%
• Siła nacisku do 20kN, z programową regulacją
• Maksymalna próżnia 5×10-5mbar (sterowanie ciśnieniem w komorze procesowej poprzez dozowanie gazu procesowego – N2, w zakresie od 1 do 1000mbar)
• Możliwość centrowania podłoży z wykorzystaniem urządzenia do centrowania wzorów/masek

Każdy proces jest wyceniany indywidualnie w zależności od potrzeb klienta. W celu otrzymania wyceny prosimy o kontakt: technologia_3@cezamat.eu.

W zapytaniu prosimy o podanie procesów lub rezultatów, które chcą Państwo uzyskać.