Rozpylanie magnetronowe – oferujemy osadzanie osadzania warstw metodą rozpylania magnetronowego do zastosowania m. in. w elektronice półprzewodnikowej, fotowoltaice, optoelektronice. System idealnie nadaje się do przeprowadzania procesów PVD zarówno w odniesieniu do prac badawczo-rozwojowych jak i małych serii produkcyjnych na podłożach o średnicy maksymalnej 200 mm. Możliwość osadzania sekwencji warstw i/lub serii warstw naprzemiennie w jedynym urządzeniu, bez wystawiania podłoża na działanie atmosfery.

• Możliwość prowadzenia procesu na podłożach o max. średnicy 200 mm (możliwe także płytki mniejsze, jak i małe kawałki)
• Osadzanie warstw metali Al, Ti oraz dielektryków AlN, TiO2, Al2O3, TiN, AlOxNy, TiOxNy (możliwe inne materiały po wcześniejszych ustaleniach)
• Grubości warstw od kilku nanometrów do ok. 1 um
• Magnetrony pozwalające na pracę w trybie DC, RF oraz pulsed DC
• Możliwość załadunku max. 4 podłoży do komory
• Możliwość realizacji sekwencji procesów osadzania różnych warstw (dostępne 4 magnetrony -2 DC i 2 RF)

Osadzanie metodą PECVD – oferujemy osadzanie CVD wspomagane plazmą (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) do zastosowań m. in. w nanoelektronice, fotonice, mikromechanice pasywacji czy wytwarzaniu warstw maskujących. Możliwość nanoszenia warstw tlenko-azotków o różnym współczynniku załamania światła. Funkcja mieszania częstotliwości pozwala na uzyskanie w kontrolowany sposób warstw materiałów o różnym naprężeniu mechanicznym.

• Grubości warstw od dziesiątek nanometrów do pojedynczych mikrometrów
• Generator plazmy RF 13,56 MHz oraz generator o zakresie częstotliwości 50-450 kHz
• Możliwość pracy na pojedynczych podłożach o średnicy do 200mm, jak również na małych kawałkach
• Osadzanie warstw dwutlenku krzemu (SiO2), azotku krzemu (SiNx), tlenko-azotku krzemu (SiOxNy), krzemu amorficznego (a-Si) z możliwością kontroli składu i naprężeń.

Procesy utleniania termicznego – oferujemy proces utleniania dużych partii podłoży krzemowych w kontrolowany i powtarzalny sposób. Możliwość otrzymywania dobrej jakości tlenków termicznych w zakresie grubości od pojedynczych nanometrów do mikrometrów.

• Utlenianie suche i mokre w temperaturze do 1200 °C
• Utlenianie suche przy niskim przepływie tlenu w temperaturze do 1200 °C
• Możliwość procesowania w powtarzalny sposób dużych partii w jednym procesie: 25 podłóż o średnicy 200 mm oraz 50 podłóż o średnicy 100 mm i 150 mm

Procesy osadzania metodą LPCVD – oferujemy wykonanie w kontrolowany sposób procesów chemicznego osadzania z fazy lotnej warstw polikrzemu oraz azotku krzemu pod obniżonym ciśnieniem (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)

• Chemiczne osadzanie z fazy lotnej pod obniżonym ciśnieniem (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) polikrzemu w temperaturze do 1000 °C
• Chemiczne osadzanie z fazy lotnej pod obniżonym ciśnieniem (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) azotku krzemu w temperaturze do 1000 °C
• Możliwość procesowania w powtarzalny sposób dużych partii w jednym procesie: 25 podłóż o średnicy 200 mm oraz 50 podłóż o średnicy 100 mm i 150 mm

Każdy proces jest wyceniany indywidualnie w zależności od potrzeb klienta. W celu otrzymania wyceny prosimy o kontakt: technologia_3@cezamat.eu.

W zapytaniu prosimy o podanie procesów lub rezultatów, które chcą Państwo uzyskać.