Ogólna charakterystyka

FLEXion 200 firmy IBS umożliwia prowadzenie implantacji jonów dla potrzeb m.in.: elektroniki, optoelektroniki i spintroniki.

Specyfikacja techniczna

• Implantacja jonów od 1 AMU do 210 AMU
• Implantacja jonów może być prowadzona z energiami od 5 keV do 200 keV na podłożach o średnicy 100 mm, 150mm i 200 mm
• Robot do automatycznego załadunku płytek
• Precyzyjna kontrola temperatury podłoża (od 100°C do 500°C)

Zastosowanie

• Wytwarzanie obszarów źródeł i drenów
• Formowanie napięcia progowego UTH przyrządów CMOS
• Domieszkowanie obszarów emitera, bazy i kolektora przyrządów bipolarnych
• Wykonywanie implantacji Well i Halo
• Implantowanie jonami metali ziem rzadkich oraz jonami metali przejściowych
• Inżynieria defektów przy podłożach podgrzewanych do 500°C
• Technologia smart-cut